ALD
原子層沉積 (ALD) 是一種基于高精度化學(xué)氣相沉積 (CVD) 的工藝。薄膜沉積技術(shù)這是一種基于化學(xué)氣相在基材表面上逐層沉積單原子膜材料的技術(shù)。將兩種或多種前體化學(xué)品逐一引入基材表面，每種化學(xué)品均含有被沉積材料的不同元素。每種前體都會浸透基材表面，形成單層材料。
ALD的生長原理與傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積（CVD）類似，但在ALD中，反應(yīng)前驅(qū)體在沉積過程中交替沉積，新層原子的化學(xué)反應(yīng)與前一層直接相關(guān)，每次反應(yīng)只沉積一層原子。具有自限生長特性，使薄膜可以保形地、無針孔地沉積到基片上。因此可以控制沉積循環(huán)次數(shù)，實(shí)現(xiàn)對薄膜厚度的精確控制。
原子層沉積技術(shù)特點(diǎn)及優(yōu)勢
精度高。通過控制反應(yīng)周期可以方便、精確地控制基片的厚度，薄膜厚度可以精確到原子的厚度。
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