離子束濺射鍍膜
PECVD（等離子增強化學氣相沉積）是一種在基材表面沉積薄膜的技術(shù)。
其原理主要包括以下步驟：
1.氣體前驅(qū)體的引入：將特定的氣體前驅(qū)體（如硅烷、氨等）引入反應(yīng)腔內(nèi)，這些氣體在適當?shù)臈l件下分解形成固體薄膜。
2、等離子體的產(chǎn)生：在反應(yīng)室內(nèi)施加高頻電場或直流電場，產(chǎn)生等離子體，激發(fā)氣體分子，使氣體分子電離，產(chǎn)生帶電粒子（電子、離子等）和中性粒子。
3、化學反應(yīng)：在等離子體作用下，氣體前驅(qū)體分解成活性物質(zhì)（如原子、分子等），在基體表面發(fā)生反應(yīng)，形成薄膜。由于等離子體的存在，反應(yīng)速率通常較高，且能在較低溫度下沉積，適用于熱敏性材料。
4.薄膜沉積：活性物質(zhì)在基片表面聚集并發(fā)生化學反應(yīng)形成固體薄膜。沉積過程中，溫度、壓力、氣體流量等參數(shù)的調(diào)節(jié)可影響薄膜的質(zhì)量和性能。
5.薄膜特性調(diào)控：通過改變前驅(qū)體種類、流量、反應(yīng)壓強及等離子體功率等，可實現(xiàn)不同類型的薄膜沉積，如氮化硅、氧化硅等，調(diào)控其電學、光學和力學性能。
PECVD廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電器件、太陽能電池等領(lǐng)域，因其薄膜質(zhì)量和沉積條件方面的優(yōu)勢而受到重視。
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